Snapdragon 845 будет изготовлен по 10-нм техпроцессу

Предстоящий флагманский чипсет Snapdragon 845 компании Qualcomm будет питать множество флагманских смартфонов в 2018 году. Некоторые слухи утверждают, что он будет построен с использованием 7-нм производственного процесса FinFET, однако, новый отчёт опровергает эту информацию.

Согласно поступившим данным, Qualcomm может выпустить чипсет Snapdragon 845 до конца этого года, и он будет, как сообщается, построен на 10-нм техпроцессе FinFET второго поколения.

Чип, как ожидается, будет производиться компанией Samsung, которая, по аналогии с прошлым годом, получит эксклюзивные права на использование Snapdragon 845 в своих новых флагманах Galaxy S9 и Galaxy S9 Plus.

Стоит отметить, что американский производитель чипов не подтвердил название предстоящего продукта, тем не менее, несколько месяцев назад, ссылка на “SDM845” была найдена в одном из документов, которые Qualcomm представил суду во время подачи дела против Apple.

Предполагается, что Snapdragon 845 прибудет с обновленными ядрами Kryo, улучшенной графикой Adreno, что будет оптимизирован для AR, VR и XR, а также, вполне возможно, улучшенными возможностями обработки AI, чтобы конкурировать с текущими решениями от Apple и Huawei.

Источник: GizmoChina